| 型号：SI5517DU-T1-E3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? CHIPFET? 双 | 描述：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | N 和 P 沟道 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.2A，4.6A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 39 毫欧 @ 4.4A，4.5V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 1V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 16nC @ 8V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 520pF @ 10V |
| 功率_最大 | 2.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? CHIPFET? 双 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? ChipFet 双 |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
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